삼성전자, HBM4 세계 최초 양산 개시: AI 시대 게임 체인저의 서막

AI 반도체 시장의 새로운 지평: HBM4 양산 출하

삼성전자가 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 6세대 제품, HBM4의 양산 출하를 세계 최초로 시작했습니다. 이는 이전 세대 HBM 경쟁에서의 어려움을 딛고 차세대 메모리 시장에서의 경쟁력 회복을 위한 중요한 발걸음입니다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4를 먼저 선보이며 기술 리더십을 다시 한번 입증했습니다. 당초 예정보다 일정을 앞당겨 고객사의 요구에 신속하게 대응하는 유연성을 보여주었습니다.

 

 

 

 

최선단 공정 도입으로 확보한 압도적 성능

삼성전자는 HBM4 개발 초기부터 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 삼았습니다. 이를 위해 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입하여 재설계 없이도 양산 초기부터 최고 수준의 성능을 구현했습니다. 삼성전자 메모리개발담당 황상준 부사장은 "최선단 공정 적용과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보했다"고 밝혔습니다. 이는 고객사의 까다로운 성능 요구를 적시에 충족시킬 수 있는 기반이 됩니다.

 

 

 

 

HBM4, 성능과 전력 효율의 새로운 기준 제시

HBM4는 1c D램 적용과 더불어, HBM 적층 구조 하단에서 전력 및 신호를 제어하는 '베이스 다이'에 파운드리 4나노 공정을 적용하여 성능과 전력 효율을 극대화했습니다. 그 결과, JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했습니다. 이는 직전 세대 HBM3E 대비 약 1.22배 향상된 수치로, AI 모델 규모 증가에 따른 데이터 병목 현상을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다.

 

 

 

 

대용량 구현과 에너지 효율 개선의 조화

삼성전자 HBM4는 단일 스택 기준으로 메모리 대역폭을 전작 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸습니다. 또한 12단 적층 기술을 통해 24~36GB의 용량을 제공하며, 향후 16단 적층 기술을 통해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 더불어 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용하여 에너지 효율을 약 40% 개선하고, 열 저항 및 방열 특성을 향상시켜 서버 및 데이터센터의 전력 소모와 냉각 비용 절감에 크게 기여할 것입니다.

 

 

 

 

AI 시대, 삼성 HBM4가 열어갈 혁신의 미래

삼성전자가 세계 최초로 HBM4 양산 출하를 개시하며 AI 반도체 시장의 판도를 바꾸고 있습니다. 최선단 공정과 혁신적인 설계를 통해 압도적인 성능과 향상된 전력 효율을 제공하는 HBM4는 AI 모델의 한계를 넓히고 데이터센터의 운영 효율성을 극대화할 것입니다. 이는 삼성전자의 기술 리더십을 재확인하는 동시에, 미래 AI 시대를 이끌어갈 핵심 동력으로 작용할 전망입니다.

 

 

 

 

HBM4에 대해 궁금해하실 만한 점들

Q.HBM4의 주요 성능 향상 지표는 무엇인가요?

A.HBM4는 JEDEC 표준 8Gbps 대비 약 46% 향상된 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했으며, 메모리 대역폭은 최대 3.3TB/s 수준으로 향상되었습니다.

 

Q.HBM4의 용량 확장 계획은 어떻게 되나요?

A.현재 12단 적층 기술로 24~36GB 용량을 제공하며, 향후 16단 적층 기술을 통해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다.

 

Q.HBM4는 전력 소모 및 발열 문제를 어떻게 해결했나요?

A.저전력 설계 기술 적용으로 에너지 효율을 약 40% 개선했으며, 열 저항 및 방열 특성을 향상시켜 전력 소모와 냉각 비용을 절감했습니다.