삼성의 '승부수' 통할까? SK하이닉스, HBM4 경쟁 심화 속 고심

삼성전자, HBM4 공급 확대 선언

삼성전자는 프리미엄 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 대한 엔비디아 공급량을 '압도적으로 늘린다'는 기조로 하고 있다고 밝혔습니다. 초당 13기가비트(Gb)의 동작 속도를 자랑하는 삼성의 HBM4는 엔비디아의 요구 조건(10~11Gb 이상)을 크게 상회하는 고성능 제품입니다. 삼성전자 황상준 메모리개발담당 부사장은 "100% 제품이 고성능으로 다 나오니까, 거기에 맞춰서 공급할 것"이라며 자신감을 내비쳤습니다. 현재 초당 13Gb 속도를 구현하는 HBM4는 삼성전자만이 생산 가능한 것으로 알려져 있습니다.

 

 

 

 

베이스다이 기술력으로 성능과 전력 효율 잡다

삼성전자의 자신감은 HBM4의 핵심 부품인 '베이스다이'의 뛰어난 기술력에서 비롯됩니다. AI 서비스 고도화로 고성능 HBM 수요가 증가하면서 전력 소모와 발열에 대한 우려도 커지고 있습니다. 삼성전자는 준첨단 공정인 4나노 파운드리를 활용하여 전력 안정성을 극대화했으며, 로직 공정 기반 MIM 커패시터를 새롭게 적용했습니다. 황 부사장은 "HBM4부터는 성능과 전력 효율성을 맞추는 게 가장 어려웠다"며, "첨단 공정을 쓰면 원가 측면에선 부담이 되지만 HBM이 지향하는 콘셉트를 맞추려면 어쩔 수 없다"고 설명했습니다.

 

 

 

 

차세대 HBM4E, 성능 23% 향상에도 전력 소모는 동일

삼성전자는 내년 출시 예정인 엔비디아의 AI 가속기에 탑재될 HBM4E(7세대)에 대한 정보도 공개했습니다. HBM4E의 베이스다이는 HBM4와 동일한 4나노 공정을 사용하지만, 성능은 초당 16Gb로 HBM4 대비 23% 향상되었습니다. 놀랍게도 전력 소모량은 HBM4와 동일하게 유지되었습니다. 황 부사장은 "4나노 공정이 진일보했다"며, "동일한 구조로 빨리 디자인을 해서 엔비디아의 빠른 일정에 맞춰 공급할 것"이라고 강조했습니다. 삼성전자는 HBM5(8세대)부터는 2나노 공정에서 베이스다이를 생산할 계획입니다.

 

 

 

 

SK하이닉스, TSMC 3나노 공정 검토하며 반격 준비

반면 SK하이닉스는 HBM4 경쟁 심화로 고심이 깊어지고 있습니다. 현재 SK하이닉스는 TSMC의 12나노 공정으로 생산된 HBM4 최종 샘플을 엔비디아에 보낸 상태입니다. 이는 삼성전자가 활용하는 4나노 공정에 비해 한 세대 뒤처진 것으로 평가됩니다. SK하이닉스는 HBM4E에서 반격을 준비 중이며, 파운드리 공정 역시 기존 TSMC 12나노에서 3나노 공정으로의 전환을 검토하고 있습니다. 3나노 공정 도입 시 성능 개선 효과는 크겠지만, 제품 원가가 급증할 수 있다는 부담이 있습니다.

 

 

 

 

HBM 시장, 삼성의 '압도적 공급' 선언과 SK하이닉스의 전략 변화

삼성전자가 고성능 HBM4 공급 확대를 선언하며 시장 주도권 잡기에 나섰습니다. 첨단 4나노 공정을 활용한 베이스다이 기술력으로 성능과 전력 효율을 동시에 잡았으며, 차세대 HBM4E에서도 경쟁 우위를 이어갈 전망입니다. 이에 맞서 SK하이닉스는 TSMC의 3나노 공정 도입을 검토하며 반격의 기회를 엿보고 있습니다. HBM 시장의 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 예상됩니다.

 

 

 

 

HBM4 경쟁, 이것이 궁금합니다

Q.삼성전자의 HBM4는 엔비디아 요구 사항을 얼마나 충족하나요?

A.삼성전자의 HBM4는 초당 13Gb의 동작 속도를 제공하여 엔비디아의 요구 조건인 10~11Gb 이상을 크게 상회합니다.

 

Q.SK하이닉스가 HBM4E에서 3나노 공정 도입을 검토하는 이유는 무엇인가요?

A.삼성전자가 HBM4E에서 성능을 크게 향상시키자, SK하이닉스도 경쟁력 확보를 위해 TSMC의 첨단 3나노 공정 도입을 검토하며 성능 격차를 줄이려는 전략입니다.

 

Q.베이스다이 기술이 HBM 성능에 중요한 이유는 무엇인가요?

A.베이스다이는 HBM의 두뇌 역할을 하며 성능과 전력 컨트롤을 담당합니다. AI 서비스 고도화로 고성능 HBM 수요가 늘면서, 성능과 저전력을 동시에 만족시키는 베이스다이 기술이 중요해졌습니다.